SI4483ADY-T1-GE3-HXY

该P沟道场效应管最大漏极电流为15A， 漏源击穿电压30V， 导通电阻典型值7.5毫欧， 栅源电压耐受范围达±20V。 器件采用低阻抗设计， 适用于低压大电流开关场景， 如电池保护电路、负载切换模块及便携式设备电源管理。 其参数匹配中等功率需求， 在有限空间内实现高效电能控制， 适合对导通损耗敏感的直流配电架构。