SI4482DY-T1-E3-VB
自营可供
IC
SO-8
SI4482DY-T1-E3-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单极性N型MOSFET， 采用Trench工艺制造， 适用于需要小型化和高集成度的应用。 SOP8； N—Channel沟道, 100V； 9A； RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1~3V
品牌
VBsemi
封装
SO-8
交期
现货
批次
—
SI4482DY-T1-E3-VB参数
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 耗散功率(Pd) | 14W |
| 栅极电荷量(Qg) | 28.5nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF |
| 类型 | N沟道 |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:100V 电流:9A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 输入电容(Ciss) | 1.9nF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 150pF |
| 商品型号 | SI4482DY-T1-E3-VB |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.00028 |
SI4482DY-T1-E3-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单极性N型MOSFET， 采用Trench工艺制造， 适用于需要小型化和高集成度的应用。 SOP8； N—Channel沟道, 100V； 9A； RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1~3V
SI4482DY-T1-E3-VB特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- 极低的栅漏电荷(Qgd), 降低开关损耗
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
- 100%进行雪崩测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
SI4482DY-T1-E3-VB应用领域
- 初级侧开关
- N沟道MOSFET