SI4461DY-T1-GE3-HXY
IC
SOP-8
可供量大可议
SI4461DY-T1-GE3-HXY
这款P沟道场效应管额定漏极电流为15A， 漏源击穿电压30V， 导通电阻仅7.5毫欧， 栅源电压耐受值达20V。 低导通电阻特性显著降低了功率损耗与发热。 该器件主要应用于电池保护电路、负载开关及电源管理模块， 在便携式设备和消费类电子产品中执行高效的功率切换任务， 有助于优化系统整体能效并适应紧凑的电路板布局需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOP-8
库存
48
货期
现货
SI4461DY-T1-GE3-HXY参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 48 |
SI4461DY-T1-GE3-HXY概述
这款P沟道场效应管额定漏极电流为15A， 漏源击穿电压30V， 导通电阻仅7.5毫欧， 栅源电压耐受值达20V。 低导通电阻特性显著降低了功率损耗与发热。 该器件主要应用于电池保护电路、负载开关及电源管理模块， 在便携式设备和消费类电子产品中执行高效的功率切换任务， 有助于优化系统整体能效并适应紧凑的电路板布局需求。
SI4461DY-T1-GE3-HXY特性
暂无产品特性。
SI4461DY-T1-GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。