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SI4459BDY-T1-GE3-VB
IC

SOP-8

可供量大可议

SI4459BDY-T1-GE3-VB

台积电流片, 长电封测。 P沟道, -򬓹 򏟋 V, -󗙻 򑵼 A, RDS(ON), 𢺫 mΩ@󗙻 򏟋 V, 򑵼 mΩ@󺺆 񄂹 𢺫 V, 򘞟 򏟋 Vgs(±V); -򬓹 Vth(V)封装:SOP򑵼 适用于高效率、中高电流、空间受限的P沟道开关场景; 例如电池管理系统、负载开关、车载电子系统、适配器与充电器开关等。

品牌

VBsemi

封装

SOP-8

库存

80

货期

现货

SI4459BDY-T1-GE3-VB参数

封装SOP-8
品牌VBsemi/微碧半导体
批次23+
分类场效应管(MOSFET)
库存80
MOQ / SPQ5 / 1

SI4459BDY-T1-GE3-VB概述

台积电流片, 长电封测。 P沟道, -򬓹 򏟋 V, -󗙻 򑵼 A, RDS(ON), 𢺫 mΩ@󗙻 򏟋 V, 򑵼 mΩ@󺺆 񄂹 𢺫 V, 򘞟 򏟋 Vgs(±V); -򬓹 Vth(V)封装:SOP򑵼 适用于高效率、中高电流、空间受限的P沟道开关场景; 例如电池管理系统、负载开关、车载电子系统、适配器与充电器开关等。

SI4459BDY-T1-GE3-VB特性

暂无产品特性。

SI4459BDY-T1-GE3-VB应用领域

暂无应用领域。

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