SI4459BDY-T1-GE3
IC
SO-8
可供量大可议
SI4459BDY-T1-GE3
特性：TrenchFET Gen IV p-channel power MOSFET。 支持更高的功率密度。 100% Rg 和 UIS 测试。 应用：移动设备中的电池管理。 适配器和充电器开关
品牌
VISHAY
封装
SO-8
库存
32
货期
现货
SI4459BDY-T1-GE3参数
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 32 |
SI4459BDY-T1-GE3概述
特性：TrenchFET Gen IV p-channel power MOSFET。 支持更高的功率密度。 100% Rg 和 UIS 测试。 应用：移动设备中的电池管理。 适配器和充电器开关
SI4459BDY-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SI4459BDY-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。