SI4447DY-T1-E3-HXY
IC
SOP-8
可供量大可议
SI4447DY-T1-E3-HXY
SI4447DY-T1-E3 是一款高性能P沟道MOSFET， 采用SOP-8封装， 专为高功率和高效率应用设计。 器件拥有40V的漏源电压(VDSS)， 并能在仅仅14mR的导通电阻(RD(on))下， 安全承载高达13A的漏极电流(ID)。 广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等场景， 此款MOS管凭借其出色的电流处理能力和优秀的能效表现， 成为您提升系统效能和节能的关键元件。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOP-8
库存
10
货期
现货
SI4447DY-T1-E3-HXY参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
SI4447DY-T1-E3-HXY概述
SI4447DY-T1-E3 是一款高性能P沟道MOSFET， 采用SOP-8封装， 专为高功率和高效率应用设计。 器件拥有40V的漏源电压(VDSS)， 并能在仅仅14mR的导通电阻(RD(on))下， 安全承载高达13A的漏极电流(ID)。 广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等场景， 此款MOS管凭借其出色的电流处理能力和优秀的能效表现， 成为您提升系统效能和节能的关键元件。
SI4447DY-T1-E3-HXY特性
暂无产品特性。
SI4447DY-T1-E3-HXY应用领域
暂无应用领域。