SI4435FDY-T1-GE3
IC
SO-8
可供量大可议
SI4435FDY-T1-GE3
场效应管(MOSFET) 4.8W 30V 12.6A 1个P沟道
Brand
VISHAY
Package
SO-8
Stock
17,959
货期
现货
SI4435FDY-T1-GE3Parameters
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 17,959 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 耗散功率(Pd) | 2.2W |
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF |
| 类型 | P沟道 |
SI4435FDY-T1-GE3概述
场效应管(MOSFET) 4.8W 30V 12.6A 1个P沟道
SI4435FDY-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SI4435FDY-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。