SI4435DYPBF-HXY
IC
SOP-8
可供量大可议
SI4435DYPBF-HXY
SI4435DYPbF 是一款高性能P沟道MOS管, 采用紧凑型SOP-8封装, 适用于各类电子设备。 其拥有30V的额定电压VDSS和高达11A的连续漏极电流ID, 确保了强大的电力处理能力。 更值得一提的是, 该器件具有低至12.5mΩ的导通电阻RD(on), 有效降低功耗, 提升系统能效。 无论是在电源管理还是电机驱动等领域, 这款MOS管都能展现卓越性能, 是您设计的理想选择。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOP-8
库存
93
货期
现货
SI4435DYPBF-HXY参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 93 |
SI4435DYPBF-HXY概述
SI4435DYPbF 是一款高性能P沟道MOS管, 采用紧凑型SOP-8封装, 适用于各类电子设备。 其拥有30V的额定电压VDSS和高达11A的连续漏极电流ID, 确保了强大的电力处理能力。 更值得一提的是, 该器件具有低至12.5mΩ的导通电阻RD(on), 有效降低功耗, 提升系统能效。 无论是在电源管理还是电机驱动等领域, 这款MOS管都能展现卓越性能, 是您设计的理想选择。
SI4435DYPBF-HXY特性
暂无产品特性。
SI4435DYPBF-HXY应用领域
暂无应用领域。
