SI4435DDY-T1-GE3-HXY
IC
SOP-8
可供量大可议
SI4435DDY-T1-GE3-HXY
SI4435DDY-T1-GE3 型号MOS管采用高效P沟道工艺， 封装于小巧的SOP-8封装中， 专为高集成度电路设计。 在30V额定电压VDSS下， 该器件可轻松应对9A的连续漏极电流ID， 且拥有出色的18mR导通电阻RD(on)， 实现卓越的能效和低功耗表现。 广泛应用于电源管理、电机驱动等众多场景， 是优化系统性能和节能减排的理想半导体元件。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOP-8
库存
10
货期
现货
SI4435DDY-T1-GE3-HXY参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
SI4435DDY-T1-GE3-HXY概述
SI4435DDY-T1-GE3 型号MOS管采用高效P沟道工艺， 封装于小巧的SOP-8封装中， 专为高集成度电路设计。 在30V额定电压VDSS下， 该器件可轻松应对9A的连续漏极电流ID， 且拥有出色的18mR导通电阻RD(on)， 实现卓越的能效和低功耗表现。 广泛应用于电源管理、电机驱动等众多场景， 是优化系统性能和节能减排的理想半导体元件。
SI4435DDY-T1-GE3-HXY特性
暂无产品特性。
SI4435DDY-T1-GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。