SI4435DDY-T1-GE3
IC
SO-8
可供量大可议
SI4435DDY-T1-GE3
场效应管(MOSFET) 2.5W； 5W 30V 11.4A 1个P沟道
品牌
VISHAY
封装
SO-8
库存
16,009
货期
现货
SI4435DDY-T1-GE3参数
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| 批次 | 两年内 |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 输入电容(Ciss) | 1.35nF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 215pF |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 16,009 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 耗散功率(Pd) | 5W |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 185pF |
| 类型 | P沟道 |
SI4435DDY-T1-GE3概述
场效应管(MOSFET) 2.5W； 5W 30V 11.4A 1个P沟道
SI4435DDY-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SI4435DDY-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。