SI4435DDY-T1-E3-HXY

本款P沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源耐压（VDSS）， 支持连续漏极电流达11A（ID）， 导通电阻低至13毫欧（RDON）， 可有效减少导通损耗并提升效率。 器件采用高可靠性工艺制造， 具备优良的开关性能与热稳定性， 适用于电源管理系统、便携式电子设备、通信模块及计算平台中的DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护电路等应用场景。