SI4431DY-HXY

本款P沟道场效应管（MOSFET）具备30V漏源电压（VDSS）和6A连续漏极电流（ID）的电气特性， 导通状态下的源漏电阻（RDON）仅为28毫欧， 有助于降低功率损耗。 器件采用P沟道结构， 适用于各类中低功率开关与电源管理电路。 其高可靠性与快速响应能力， 可满足多种电子设备对电压控制、负载切换及功率调节的需求， 广泛应用于便携式电子产品、智能家居设备及通信模块等场景。