SI4431CDY-T1-E3-HXY
IC
SOP-8
可供量大可议
SI4431CDY-T1-E3-HXY
SI4431CDY-T1-E3 是一款高性能P沟道MOSFET， 采用小型SOP-8封装， 专为紧凑型电路设计。 器件支持30V的漏源电压(VDSS)， 能承载最大6A的连续漏极电流(ID)， 并且具备低至28mΩ的导通电阻(RD(on))， 确保在开关应用中实现低损耗和高效能。 广泛应用于电源管理、负载开关、电池保护等领域， 是优化系统性能的理想半导体元件选择。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOP-8
库存
75
货期
现货
SI4431CDY-T1-E3-HXY参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 75 |
SI4431CDY-T1-E3-HXY概述
SI4431CDY-T1-E3 是一款高性能P沟道MOSFET， 采用小型SOP-8封装， 专为紧凑型电路设计。 器件支持30V的漏源电压(VDSS)， 能承载最大6A的连续漏极电流(ID)， 并且具备低至28mΩ的导通电阻(RD(on))， 确保在开关应用中实现低损耗和高效能。 广泛应用于电源管理、负载开关、电池保护等领域， 是优化系统性能的理想半导体元件选择。
SI4431CDY-T1-E3-HXY特性
暂无产品特性。
SI4431CDY-T1-E3-HXY应用领域
暂无应用领域。