SI4427BDY-T1-GE3-HXY
IC
SOP-8
可供量大可议
SI4427BDY-T1-GE3-HXY
该P沟道场效应管漏源电压为30V, 连续漏极电流15A, 导通电阻7.5毫欧, 栅源电压耐受值20V。 器件凭借低导通损耗与适中的电压等级, 适用于笔记本电脑电池保护、便携式设备负载开关及直流电源管理电路。 在空间受限的供电切换应用中, 其参数特性有助于优化系统效率并控制温升, 确保大电流路径下的稳定工作。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOP-8
库存
45
货期
现货
SI4427BDY-T1-GE3-HXY参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 45 |
SI4427BDY-T1-GE3-HXY概述
该P沟道场效应管漏源电压为30V, 连续漏极电流15A, 导通电阻7.5毫欧, 栅源电压耐受值20V。 器件凭借低导通损耗与适中的电压等级, 适用于笔记本电脑电池保护、便携式设备负载开关及直流电源管理电路。 在空间受限的供电切换应用中, 其参数特性有助于优化系统效率并控制温升, 确保大电流路径下的稳定工作。
SI4427BDY-T1-GE3-HXY特性
暂无产品特性。
SI4427BDY-T1-GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。
