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SI4427BDY-T1-GE3-HXY
IC

SOP-8

可供量大可议

SI4427BDY-T1-GE3-HXY

该P沟道场效应管漏源电压为30V, 连续漏极电流15A, 导通电阻7.5毫欧, 栅源电压耐受值20V。 器件凭借低导通损耗与适中的电压等级, 适用于笔记本电脑电池保护、便携式设备负载开关及直流电源管理电路。 在空间受限的供电切换应用中, 其参数特性有助于优化系统效率并控制温升, 确保大电流路径下的稳定工作。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOP-8

库存

45

货期

现货

SI4427BDY-T1-GE3-HXY参数

封装SOP-8
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存45

SI4427BDY-T1-GE3-HXY概述

该P沟道场效应管漏源电压为30V, 连续漏极电流15A, 导通电阻7.5毫欧, 栅源电压耐受值20V。 器件凭借低导通损耗与适中的电压等级, 适用于笔记本电脑电池保护、便携式设备负载开关及直流电源管理电路。 在空间受限的供电切换应用中, 其参数特性有助于优化系统效率并控制温升, 确保大电流路径下的稳定工作。

SI4427BDY-T1-GE3-HXY特性

暂无产品特性。

SI4427BDY-T1-GE3-HXY应用领域

暂无应用领域。

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