SI4427BDY-T1-E3-HXY
IC
SOP-8
可供量大可议
SI4427BDY-T1-E3-HXY
SI4427BDY-T1-E3 是一款P沟道MOSFET， 采用紧凑型SOP-8封装， 专为高性能、低损耗应用设计。 该器件具备30V的最大漏源电压(VDSS)， 可承载高达18A的连续漏极电流， 突显其卓越的电流处理性能。 其导通电阻RD(on)仅为7.5mΩ， 助力实现高能效、低损耗的电力转换。 广泛应用于电源管理、电机驱动、快速开关电路等场合， 是追求高效率和可靠性的理想半导体组件。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOP-8
库存
35
货期
现货
SI4427BDY-T1-E3-HXY参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 35 |
SI4427BDY-T1-E3-HXY概述
SI4427BDY-T1-E3 是一款P沟道MOSFET， 采用紧凑型SOP-8封装， 专为高性能、低损耗应用设计。 该器件具备30V的最大漏源电压(VDSS)， 可承载高达18A的连续漏极电流， 突显其卓越的电流处理性能。 其导通电阻RD(on)仅为7.5mΩ， 助力实现高能效、低损耗的电力转换。 广泛应用于电源管理、电机驱动、快速开关电路等场合， 是追求高效率和可靠性的理想半导体组件。
SI4427BDY-T1-E3-HXY特性
暂无产品特性。
SI4427BDY-T1-E3-HXY应用领域
暂无应用领域。