SI4425FDY-T1-GE3-VB

台积电流片， 长电封测。 P沟道场效应晶体管（MOSFET）， 是一种多功能、高性能的电子器件， 适用于许多不同的应用领域和模块。 具有参数：VDS（漏极-源极电压）为-򬓹 򏟋 V， VGS（栅极-源极电压）范围为±򘞟 򏟋 V， 阈值电压（Vth）为-򘞟 񄂹 𢺫 V。 在VGS=󺺆 񄂹 𢺫 V时的导通电阻为󗙻 𢺫 mΩ， 在VGS=󗙻 򏟋 V时为󗙻 󗙻 mΩ， 最大漏极电流（ID）为-󗙻 򬓹 񄂹 𢺫 A。 这些MOSFET采用Trench技术制造， 封装形式为SOP򑵼。