SI4425BDY-T1-GE3-HXY

该P沟道场效应管最大漏极电流为12安培， 漏源击穿电压达30伏， 导通电阻典型值为10毫欧。 器件在低电压开关应用中表现稳定， 适用于电池保护、负载切换及电源管理电路。 其低导通损耗特性有助于提升系统效率， 适合对空间与热性能有要求的便携式设备或消费类电子产品中的直流控制场景。