SI4425BDY-T1-E3-HXY
IC
SOP-8
可供量大可议
SI4425BDY-T1-E3-HXY
该P沟道场效应管最大漏极电流12A， 漏源击穿电压30V， 导通电阻典型值10mΩ。 器件在低压环境下表现出稳定的开关特性与低导通损耗， 适用于便携式设备的电源路径管理、电池保护电路及负载切换应用。 其紧凑的电气性能适合集成于智能手机、平板电脑及可穿戴产品中， 满足对能效比和空间布局有严格要求的消费类电子设计需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOP-8
库存
40
货期
现货
SI4425BDY-T1-E3-HXY参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 40 |
SI4425BDY-T1-E3-HXY概述
该P沟道场效应管最大漏极电流12A， 漏源击穿电压30V， 导通电阻典型值10mΩ。 器件在低压环境下表现出稳定的开关特性与低导通损耗， 适用于便携式设备的电源路径管理、电池保护电路及负载切换应用。 其紧凑的电气性能适合集成于智能手机、平板电脑及可穿戴产品中， 满足对能效比和空间布局有严格要求的消费类电子设计需求。
SI4425BDY-T1-E3-HXY特性
暂无产品特性。
SI4425BDY-T1-E3-HXY应用领域
暂无应用领域。