SI4420BDY-T1-GE3-HXY
IC
SOP-8
可供量大可议
SI4420BDY-T1-GE3-HXY
该N沟道MOSFET具有15A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为30V， 导通电阻为7.5毫欧。 其适中的电流承载能力和较低的导通损耗， 使其适用于中等功率的开关应用。 在需要高效能与紧凑布局的电子系统中， 如便携式设备电源管理、小型电机驱动及直流-直流转换电路中， 能够提供稳定可靠的性能表现。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOP-8
库存
98
货期
现货
SI4420BDY-T1-GE3-HXY参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 98 |
SI4420BDY-T1-GE3-HXY概述
该N沟道MOSFET具有15A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为30V， 导通电阻为7.5毫欧。 其适中的电流承载能力和较低的导通损耗， 使其适用于中等功率的开关应用。 在需要高效能与紧凑布局的电子系统中， 如便携式设备电源管理、小型电机驱动及直流-直流转换电路中， 能够提供稳定可靠的性能表现。
SI4420BDY-T1-GE3-HXY特性
暂无产品特性。
SI4420BDY-T1-GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。