SI4416DY-HXY

本款N沟道场效应管（MOSFET）具有优异的性能和可靠性， 适用于多种高效电源管理系统。 其漏极电流ID可达8.5A， 漏源电压VDSS为30V， 确保在中等功率应用中稳定运行。 导通电阻RDON低至14毫欧， 有效降低导通损耗， 提高系统效率。 该器件采用标准封装形式， 便于散热与集成， 广泛应用于消费类电子、便携式设备及节能电源转换器等领域， 满足对空间与效能双重需求的设计场景。