SI4410BDY-T1-E3-HXY
IC
SOP-8
可供量大可议
SI4410BDY-T1-E3-HXY
SI4410BDY-T1-E3 N沟道MOSFET采用SOP-8封装， 是一款专为高效率、大电流应用设计的半导体器件。 具备30V的最大漏源电压(VDSS)， 能稳定承载8.5A的连续电流， 且导通电阻低至14mΩ， 保证在大电流工况下仍具备优异的能效和低损耗特性。 广泛应用于电源转换、电机驱动、负载开关等行业， 凭借出色的电流处理能力和卓越的电气性能， 成为您电路设计的理想组件。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOP-8
库存
5
货期
现货
SI4410BDY-T1-E3-HXY参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
SI4410BDY-T1-E3-HXY概述
SI4410BDY-T1-E3 N沟道MOSFET采用SOP-8封装， 是一款专为高效率、大电流应用设计的半导体器件。 具备30V的最大漏源电压(VDSS)， 能稳定承载8.5A的连续电流， 且导通电阻低至14mΩ， 保证在大电流工况下仍具备优异的能效和低损耗特性。 广泛应用于电源转换、电机驱动、负载开关等行业， 凭借出色的电流处理能力和卓越的电气性能， 成为您电路设计的理想组件。
SI4410BDY-T1-E3-HXY特性
暂无产品特性。
SI4410BDY-T1-E3-HXY应用领域
暂无应用领域。