SI4401BDY-T1-GE3
IC
SOP-8
可供量大可议
SI4401BDY-T1-GE3
特性：RDS(ON) < 15 mΩ @ VGS = 10 V（典型值11 mΩ）。 高密度单元设计， 实现超低RDS(ON)。 完全表征的雪崩电压和电流。 出色的散热封装。 应用：电源开关应用。 硬开关和高频电路
品牌
Tokmas
封装
SOP-8
库存
195
货期
现货
SI4401BDY-T1-GE3参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | Tokmas(托克马斯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 195 |
SI4401BDY-T1-GE3概述
特性：RDS(ON) < 15 mΩ @ VGS = 10 V（典型值11 mΩ）。 高密度单元设计， 实现超低RDS(ON)。 完全表征的雪崩电压和电流。 出色的散热封装。 应用：电源开关应用。 硬开关和高频电路
SI4401BDY-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SI4401BDY-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。