SI4386DY-T1-E3-HXY
IC
SOP-8
可供量大可议
SI4386DY-T1-E3-HXY
SI4386DY-T1-E3 是一款高效能N沟道MOS管， 采用节省空间的SOP-8封装， 专为优化电路布局设计。 该器件能在30V的最大稳态电压下稳定工作， 峰值电流可达18A， 展现卓越的电流处理能力。 同时， 其优秀的导通电阻仅有5.5mR， 显著提升了电源转换效率， 减少能量损失， 并适用于各类高端电源管理、马达驱动以及其他高电流、低阻抗的应用场景。
Brand
HXY MOSFET
Package
SOP-8
Stock
45
货期
现货
SI4386DY-T1-E3-HXYParameters
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 45 |
SI4386DY-T1-E3-HXY概述
SI4386DY-T1-E3 是一款高效能N沟道MOS管， 采用节省空间的SOP-8封装， 专为优化电路布局设计。 该器件能在30V的最大稳态电压下稳定工作， 峰值电流可达18A， 展现卓越的电流处理能力。 同时， 其优秀的导通电阻仅有5.5mR， 显著提升了电源转换效率， 减少能量损失， 并适用于各类高端电源管理、马达驱动以及其他高电流、低阻抗的应用场景。
SI4386DY-T1-E3-HXY特性
暂无产品特性。
SI4386DY-T1-E3-HXY应用领域
暂无应用领域。