SI4384DY-T1-GE3-HXY

该N沟道MOSFET的连续漏极电流（ID）为15A， 漏源击穿电压（VDSS）为30V， 导通电阻（RDS(ON)）为7.5毫欧。 其低导通电阻有助于降低导通状态下的功率损耗， 提升系统效率。 适用于对体积和热管理有较高要求的电源转换、电池供电设备及高频开关电路中， 能够在有限空间内实现稳定可靠的开关性能。