SI4384DY-T1-E3-HXY
IC
SOP-8
可供量大可议
SI4384DY-T1-E3-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具有15A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为7.5毫欧。 其较低的导通电阻有助于减小功率损耗， 提升系统效率， 适用于中等电流水平的开关应用。 该器件可广泛用于电源管理模块、便携式设备供电系统、电机控制及各类对体积与能效有要求的电子装置中。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOP-8
库存
90
货期
现货
SI4384DY-T1-E3-HXY参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 90 |
SI4384DY-T1-E3-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具有15A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为7.5毫欧。 其较低的导通电阻有助于减小功率损耗， 提升系统效率， 适用于中等电流水平的开关应用。 该器件可广泛用于电源管理模块、便携式设备供电系统、电机控制及各类对体积与能效有要求的电子装置中。
SI4384DY-T1-E3-HXY特性
暂无产品特性。
SI4384DY-T1-E3-HXY应用领域
暂无应用领域。