SI4214DDY-T1-E3-HXY

本场效应管（MOSFET）采用N+N沟道结构， 具备良好的导通特性和开关响应。 其最大漏极电流ID为8.5A， 漏源击穿电压VDSS为30V， 适用于中等功率电路设计。 器件导通电阻RDON仅为17mΩ， 有效降低导通损耗， 提高整体效率。 该产品可广泛应用于电源转换、便携式电子设备及高性能计算模块等场景， 满足高效、小型化电路系统的设计需求。