SI4190BDY-T1-GE3
IC
SOIC-8
可供量大可议
SI4190BDY-T1-GE3
N沟道100V（D - S）MOSFET， 采用SO - 8单封装， 具备TrenchFET Gen IV技术， 低Rds x Qg和Rds x Qoss优值， 支持逻辑电平栅极驱动
品牌
VISHAY
封装
SOIC-8
库存
30
货期
现货
SI4190BDY-T1-GE3参数
| 封装 | SOIC-8 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 30 |
SI4190BDY-T1-GE3概述
N沟道100V（D - S）MOSFET， 采用SO - 8单封装， 具备TrenchFET Gen IV技术， 低Rds x Qg和Rds x Qoss优值， 支持逻辑电平栅极驱动
SI4190BDY-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SI4190BDY-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。