SI4178DY-T1-GE3
IC
8-SO
可供量大可议
SI4178DY-T1-GE3
场效应管(MOSFET) 2.4W； 5W 30V 12A 1个N沟道
品牌
VISHAY
封装
8-SO
库存
24,386
货期
现货
SI4178DY-T1-GE3参数
| 封装 | 8-SO |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V |
| 输入电容(Ciss) | 405pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 24,386 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 耗散功率(Pd) | 3.2W |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.7nC@15V |
| 反向传输电容(Crss) | 56pF |
SI4178DY-T1-GE3概述
场效应管(MOSFET) 2.4W； 5W 30V 12A 1个N沟道
SI4178DY-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SI4178DY-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。