SI4162DY-T1-GE3
自营可供
IC
SO-8
SI4162DY-T1-GE3
场效应管(MOSFET) 2.5W； 5W 30V 19.3A 1个N沟道
品牌
VISHAY
封装
SO-8
交期
现货
批次
23+
SI4162DY-T1-GE3参数
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| 批次 | 23+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.9mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 输入电容(Ciss) | 1.155nF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10,970 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 耗散功率(Pd) | 3.2W |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.8nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF |
SI4162DY-T1-GE3概述
场效应管(MOSFET) 2.5W； 5W 30V 19.3A 1个N沟道