SI4116DY-T1-E3-HXY

本款N沟道场效应管（MOSFET）具有以下主要参数：最大漏极电流ID为15A， 漏源击穿电压VDSS为30V， 导通电阻RDON为7.5mΩ。 该器件适用于需要高效能功率管理的电子设备， 能够在中高功率应用中实现较低的导通损耗， 支持高频开关操作。 由于其优异的电气性能和稳定性， 可广泛用于电源转换、电机控制、储能系统及各类消费类电子产品中， 为电路设计提供可靠的支持。