SI4101DY-T1-GE3
自营可供
IC
SO-8
SI4101DY-T1-GE3
场效应管(MOSFET) 6W 30V 25.7A 1个P沟道
品牌
VISHAY
封装
SO-8
交期
现货
批次
两年内
SI4101DY-T1-GE3参数
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| 批次 | 两年内 |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 输入电容(Ciss) | 8.19nF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 21,210 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 耗散功率(Pd) | 2.9W |
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 715pF |
SI4101DY-T1-GE3概述
场效应管(MOSFET) 6W 30V 25.7A 1个P沟道