SI4056ADY-T1-GE3
IC
SO-8
可供量大可议
SI4056ADY-T1-GE3
特性：沟槽场效应晶体管第四代功率MOSFET。 极低的RDS×Qg品质因数（FOM）。 针对最低的RDS×Qoss FOM进行了优化。 逻辑电平栅极驱动。 100%进行Rg和UIs测试
品牌
VISHAY
封装
SO-8
库存
241
货期
现货
SI4056ADY-T1-GE3参数
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 241 |
SI4056ADY-T1-GE3概述
特性：沟槽场效应晶体管第四代功率MOSFET。 极低的RDS×Qg品质因数（FOM）。 针对最低的RDS×Qoss FOM进行了优化。 逻辑电平栅极驱动。 100%进行Rg和UIs测试
SI4056ADY-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SI4056ADY-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。