SI3865DDV-T1-GE3
IC
TSOP-6-1.5mm
可供量大可议
SI3865DDV-T1-GE3
Si3865DDV 在单个 TSOP - 6 封装中集成了一个 p 沟道和一个 n 沟道 MOSFET。 低导通电阻的 p 沟道 TrenchFET 专为用作负载开关而设计。 n 沟道搭配一个外部电阻， 可作为电平转换器来驱动 p 沟道负载开关
品牌
VISHAY
封装
TSOP-6-1.5mm
库存
1,460
货期
现货
SI3865DDV-T1-GE3参数
| 封装 | TSOP-6-1.5mm |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 功率电子开关 |
|---|---|
| 库存 | 1460 |
SI3865DDV-T1-GE3概述
Si3865DDV 在单个 TSOP - 6 封装中集成了一个 p 沟道和一个 n 沟道 MOSFET。 低导通电阻的 p 沟道 TrenchFET 专为用作负载开关而设计。 n 沟道搭配一个外部电阻， 可作为电平转换器来驱动 p 沟道负载开关
SI3865DDV-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SI3865DDV-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。