SOT-23-6
SI3552DV-T1-GE3
N+P—Channel沟道, ±򘞟 򏟋 V, 𛾾 /-󺺆 񄂹 𢺫 A, RDS(ON), 򘞟 򏟋 / 𛾾 򏟋 mΩ@󺺆 񄂹 𢺫 V, 򘞟 񤗸 / 󗙻 򏟋 𮧂 mΩ@򘞟 񄂹 𢺫 V, 򘞟 򏟋 Vgs(±V)； 򏟋 񄂹 𛾾 󗙻 / -򏟋 񄂹 򑵼 󗙻 Vth(V) 封装：SOT򘞟 򬓹 -𮧂
品牌
VBsemi
封装
SOT-23-6
库存
687
货期
现货
SI3552DV-T1-GE3参数
| 封装 | SOT-23-6 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi/微碧半导体 |
| 批次 | 23+ |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 105mΩ@10V； 200mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | SI3552DV-T1-GE3 |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 687 |
| MOQ / SPQ | 5 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 耗散功率(Pd) | 730mW |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.1nC@10V |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
| 商品名称 | 1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:2.5A |
| 封装 | TSOP-6 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 5.1e-05 |
SI3552DV-T1-GE3概述
N+P—Channel沟道, ±򘞟 򏟋 V, 𛾾 /-󺺆 񄂹 𢺫 A, RDS(ON), 򘞟 򏟋 / 𛾾 򏟋 mΩ@󺺆 񄂹 𢺫 V, 򘞟 񤗸 / 󗙻 򏟋 𮧂 mΩ@򘞟 񄂹 𢺫 V, 򘞟 򏟋 Vgs(±V)； 򏟋 񄂹 𛾾 󗙻 / -򏟋 񄂹 򑵼 󗙻 Vth(V) 封装：SOT򘞟 򬓹 -𮧂
SI3552DV-T1-GE3特性
- 沟槽式场效应晶体管(TrenchFET)功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
- 提供N沟道MOSFET
- 提供P沟道MOSFET
SI3552DV-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。