SI3499DV-T1-GE3-VB
IC
TSOP-6
可供量大可议
SI3499DV-T1-GE3-VB
SOT23-6； P—Channel沟道, -60V； -3.5A； RDS(ON)=75mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1~ -3V
品牌
VBsemi
封装
TSOP-6
库存
50
货期
现货
SI3499DV-T1-GE3-VB参数
| 封装 | TSOP-6 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
SI3499DV-T1-GE3-VB概述
SOT23-6； P—Channel沟道, -60V； -3.5A； RDS(ON)=75mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1~ -3V
SI3499DV-T1-GE3-VB特性
暂无产品特性。
SI3499DV-T1-GE3-VB应用领域
暂无应用领域。