SI3493DDV-T1-GE3
IC
TSOP-6
可供量大可议
SI3493DDV-T1-GE3
特性：TrenchFET Gen II p沟道功率MOSFET。 RDS(on)额定值在VGS = -1.8V。 100% Rg和UIS测试。 RoHS合规， 无卤。 Marking code: BQ。 应用：移动设备中的电池管理。 电池开关
品牌
VISHAY
封装
TSOP-6
库存
3,005
货期
现货
SI3493DDV-T1-GE3参数
| 封装 | TSOP-6 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV |
| 输入电容(Ciss) | 1.825nF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3005 |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@4.5V |
| 栅极电荷量(Qg) | 19.8nC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 52.2pF |
SI3493DDV-T1-GE3概述
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -8A; Idm
SI3493DDV-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SI3493DDV-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。