SI3460DDV-T1-GE3
IC
6-TSOP
可供量大可议
SI3460DDV-T1-GE3
N-Channel 20 V 0.028 Ohm 2.7 W Surface Mount Power Mosfet - TSOP-6
品牌
VISHAY
封装
6-TSOP
库存
14,334
货期
现货
SI3460DDV-T1-GE3参数
| 封装 | 6-TSOP |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| 批次 | 两年内 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 输入电容(Ciss) | 666pF |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 14,334 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.7nC@4.5V |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
SI3460DDV-T1-GE3概述
N-Channel 20 V 0.028 Ohm 2.7 W Surface Mount Power Mosfet - TSOP-6
SI3460DDV-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SI3460DDV-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。