SI3459BDV-T1-GE3
IC
TSOP-6
可供量大可议
SI3459BDV-T1-GE3
特性：沟槽式场效应晶体管功率MOSFET。 100%进行Rg测试。 应用：负载开关。 P沟道MOSFET
品牌
VISHAY
封装
TSOP-6
库存
129
货期
现货
SI3459BDV-T1-GE3参数
| 封装 | TSOP-6 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 129 |
SI3459BDV-T1-GE3概述
特性：沟槽式场效应晶体管功率MOSFET。 100%进行Rg测试。 应用：负载开关。 P沟道MOSFET
SI3459BDV-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SI3459BDV-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。