SI3443CDV-T1-E3
IC
TSOP-6
可供量大可议
SI3443CDV-T1-E3
特性：无卤， 符合 IEC 61249-2-21 定义。 TrenchFET 功率 MOSFET。 PWM 优化。 100% Rg 测试。 符合 RoHS 指令 2002/95/EC。 应用：HDD 异步整流。 便携式设备的负载开关
品牌
VISHAY
封装
TSOP-6
库存
550
货期
现货
SI3443CDV-T1-E3参数
| 封装 | TSOP-6 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 550 |
SI3443CDV-T1-E3概述
特性：无卤， 符合 IEC 61249-2-21 定义。 TrenchFET 功率 MOSFET。 PWM 优化。 100% Rg 测试。 符合 RoHS 指令 2002/95/EC。 应用：HDD 异步整流。 便携式设备的负载开关
SI3443CDV-T1-E3特性
暂无产品特性。
SI3443CDV-T1-E3应用领域
暂无应用领域。