SI3440DV-T1-E3
IC
TSOP-6
可供量大可议
SI3440DV-T1-E3
特性：无卤， 符合IEC 61249-2-21定义。 TrenchFET功率MOSFET。 针对小尺寸快速开关进行PWM优化。 100%进行Rg测试。 符合RoHS指令2002/95/EC。 应用：低功率DC/DC转换器的初级侧开关
品牌
VISHAY
封装
TSOP-6
库存
2,520
货期
现货
SI3440DV-T1-E3参数
| 封装 | TSOP-6 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2520 |
SI3440DV-T1-E3概述
特性：无卤， 符合IEC 61249-2-21定义。 TrenchFET功率MOSFET。 针对小尺寸快速开关进行PWM优化。 100%进行Rg测试。 符合RoHS指令2002/95/EC。 应用：低功率DC/DC转换器的初级侧开关
SI3440DV-T1-E3特性
暂无产品特性。
SI3440DV-T1-E3应用领域
暂无应用领域。