SI3437DV-T1-GE3
IC
TSOP-6
可供量大可议
SI3437DV-T1-GE3
Vishay P沟道MOS管, Vds=150 V, 1.4 A, TSOP-6封装, 表面贴装
品牌
VISHAY
封装
TSOP-6
库存
2,999
货期
现货
SI3437DV-T1-GE3参数
| 封装 | TSOP-6 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY/威世 |
| 批次 | 2541+ |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 750mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 输入电容(Ciss) | 510pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 30pF |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2999 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 150V |
| 耗散功率(Pd) | 3.2W |
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF |
| 类型 | P沟道 |
SI3437DV-T1-GE3概述
表面贴装型-P-通道-150V-1.4A（Tc）-2W（Ta）-3.2W（Tc）-6-TSOP
SI3437DV-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SI3437DV-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。