SI3415-HXY

本款P沟道场效应管（MOSFET）具有20V的漏源耐压（VDSS）， 可承受连续漏极电流（ID）达5A， 导通电阻（RDON）低至35毫欧， 适用于需要高效功率控制的场景。 该器件采用先进工艺制造， 具备良好的热稳定性和开关性能， 适合用于电源管理、负载开关、电池供电设备及小型电器等领域的电路设计。 其低导通电阻有效降低功率损耗， 提升系统整体效率。