SI3404HE3-TPA01-HXY

本款N沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源耐压（VDSS）， 可提供连续漏极电流5.8A， 导通电阻低至22mΩ， 适用于需要高效功率控制的电子设备。 该器件采用标准封装形式， 具备良好的热稳定性和可靠性， 适合应用于电源管理、开关电路、负载驱动以及各类嵌入式系统中， 满足高性能与小型化设计需求。