SI3401A-HXY

本款P沟道场效应管（MOSFET）具备4.2A的漏极电流（ID）和30V的漏源电压（VDSS）， 导通电阻（RDON）仅为45毫欧， 能够有效减少功率损耗并提升转换效率。 器件采用成熟稳定的封装工艺， 适用于多种中低功率应用场景， 如电池供电设备、智能家电、通信模块及电源管理系统， 为电路提供可靠的开关控制性能。