SI3400A-HXY

本款N沟道场效应管（MOSFET）具备30V的漏源击穿电压（VDSS）和5.8A的额定漏极电流（ID）， 导通电阻（RDON）仅为28毫欧， 能够有效降低导通损耗并提升系统效率。 器件适用于中高功率电源转换应用， 如DC-DC变换器、同步整流电路、电池管理及负载开关等场景。 其优异的热稳定性和快速响应特性， 使其在高密度电源设计中表现出良好的可靠性与性能一致性。