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SI3099-TP
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IC

SOT-23

SI3099-TP

场效应管(MOSFET) 830mW 30V 1.1A 1个N沟道

品牌

MCC

封装

SOT-23

交期

现货

批次

26+

SI3099-TP参数

封装SOT-23
品牌MCC(美微科)
批次26+
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))800mΩ@2.5V
阈值电压(Vgs(th))1.5V
输入电容(Ciss)39pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)9pF
分类场效应管(MOSFET)
库存11,999
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)30V
耗散功率(Pd)1.1W
栅极电荷量(Qg)1.5nC
反向传输电容(Crss)6pF
类型N沟道

SI3099-TP概述

场效应管(MOSFET) 830mW 30V 1.1A 1个N沟道

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