SI2393DS-T1-GE3-HXY

本产品为P沟道场效应管（MOSFET）， 主要参数包括：最大漏极电流（ID）为10A， 漏源电压（VDSS）为30V， 导通电阻（RDON）低至14mΩ， 栅源电压（VGS）为±20V。 该器件适用于需要高效功率管理的场景， 可广泛用于电源转换、负载开关、电池保护及便携式设备等电路设计中， 具备良好的热稳定性和快速响应能力， 能够满足高密度功率系统对性能与可靠性的基础要求。