SI2387DS-T1-GE3
IC
SOT-23-3(TO-236-3)
可供量大可议
SI2387DS-T1-GE3
特性：TrenchFET Gen IV p-channel power MOSFET。 100 % Rg and UIS tested。 应用：Load switch。 Circuit protection
品牌
VISHAY
封装
SOT-23-3(TO-236-3)
库存
466
货期
现货
SI2387DS-T1-GE3参数
| 封装 | SOT-23-3(TO-236-3) |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 466 |
SI2387DS-T1-GE3概述
特性：TrenchFET Gen IV p-channel power MOSFET。 100 % Rg and UIS tested。 应用：Load switch。 Circuit protection
SI2387DS-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SI2387DS-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。