SI2377EDS-T1-GE3
自营可供
IC
SOT-23
SI2377EDS-T1-GE3
场效应管(MOSFET) 1.25W； 1.8W 20V 4.4A 1个P沟道
品牌
VISHAY
封装
SOT-23
交期
现货
批次
两年内
SI2377EDS-T1-GE3参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| 批次 | 两年内 |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 165mΩ@1.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 6,000 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W |
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@8V |
| 类型 | P沟道 |
SI2377EDS-T1-GE3概述
场效应管(MOSFET) 1.25W； 1.8W 20V 4.4A 1个P沟道