SI2377EDS-T1-GE3
IC
SOT-23-3
可供量大可议
SI2377EDS-T1-GE3
P—Channel沟道, -򬓹 򏟋 V, -𢺫 񄂹 𮧂 A, RDS(ON), 󺺆 𛾾 mΩ@󗙻 򏟋 V, 𢺫 𮧂 mΩ@󺺆 񄂹 𢺫 V, 򘞟 򏟋 Vgs(±V)； -󗙻 Vth(V)； SOT򘞟 򬓹
品牌
VBsemi
封装
SOT-23-3
库存
905
货期
现货
SI2377EDS-T1-GE3参数
| 封装 | SOT-23-3 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi/微碧半导体 |
| 批次 | 23+ |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 165mΩ@1.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 905 |
| MOQ / SPQ | 5 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W |
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@8V |
| 类型 | P沟道 |
SI2377EDS-T1-GE3概述
场效应管(MOSFET) 1.25W； 1.8W 20V 4.4A 1个P沟道
SI2377EDS-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SI2377EDS-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。